Dreidimensionale Licht emittierendeGaInN/GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld.pdf

Dreidimensionale Licht emittierendeGaInN/GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld

Gruppe III-Nitride besitzen das Potential, u.a. allgemeine Beleuchtungstechniken und Display-Anwendungen zu revolutionieren. Effiziente Licht-Emitter im nahen UV und blauen Spektralbereich sind heute bereits kommerziell erhältlich. Die Effizienz solcher Bauelemente sinkt jedoch kontinuierlich, je größer die Wellenlänge wird. In dieser Arbeit werden zunächst die Ursachen dieser Effizienz-Abnahme im Hinblick auf Herstellungs-Bedingungen und induzierte elektrische Felder detailliert diskutiert. Zur Steigerung der Lichtausbeute stehen dann neuartige LED-Typen im Fokus, deren aktive Zone auf dreidimensionale Ga(In)N-Strukturen mit weniger polaren Kristall-Oberflächen abgeschieden wurde. Es wird gezeigt, dass diese Methode geeignet ist, qualitativ hochwertige semipolare GaN-basierte Bauelemente auf konventionellen Substrat-Größen zu realisieren.

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DATEIGRÖSSE 1.51 MB
ISBN 9783869554419
AUTOR Thomas Wunderer
DATEINAME Dreidimensionale Licht emittierendeGaInN/GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld.pdf
VERöFFENTLICHUNGSDATUM 05/02/2020

Bei Ansteuerung mit einem elektrischen Feld parallel zur Richtung der ... Dieser sogenannte transversale piezoelektrische Effekt wird bei Kontraktoren, ... Der Betrieb gegen die Polarisationsrichtung ist nur mit reduzierter Spannung bzw. Umgekehrt lösen elektrische Felder einen Spannungszustand und somit eine Deformation eines Kristalls aus (reziproker oder inverser piezoelektrischer Effekt) .

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